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您正在寻找一颗能精准、高效驱动功率开关管的核心芯片吗？TD351ID正是您理想的答案。这颗来自ST意法半导体的高端栅极驱动器，专为驾驭IGBT和N沟道MOSFET而设计，它能将微弱的控制信号转化为强劲有力的驱动命令，确保您的MOSFET或IGBT以最优的速度和力度开启与关断。

它拥有高达1.7A的拉出电流和1.3A的灌入电流能力，配合仅100ns的快速开关特性，能显著降低开关损耗，提升系统整体能效。宽达12V至26V的供电范围和-40°C至150°C的宽广工作结温，让它能轻松应对工业电机驱动、电源转换等复杂严苛的应用环境，为您带来前所未有的稳定与可靠。

• 型号:TD351ID
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12V ~ 26V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.3A，1.7A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns（最大）
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• TD351ID，ST（意法半导体）产品一站式供应商。