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您是否正在寻找一颗能够轻松驾驭600V高压、74A大电流的功率开关？STY80NM60N正是为您应对此类挑战而生的得力助手。这颗N沟道MOSFET采用先进的MDmesh II技术，旨在为您提供极高的效率与可靠性。

它的核心价值在于，能让您的电源或电机驱动系统运行得更“冷静”、更高效。极低的导通电阻（典型值35mΩ）意味着更少的导通损耗，而优化的栅极电荷则有助于降低开关损耗，从而显著提升整体能效，减少散热设计压力。其坚固的MAX247通孔封装和高达447W的功率耗散能力，确保了它在严苛环境下的稳定表现。

简而言之，STY80NM60N致力于简化您的高压大电流设计，以卓越的电气性能和坚固性，助您打造出更具市场竞争力的高效能产品。

• 型号:STY80NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 74A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):74A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:360 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:447W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY80NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。