我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STWA72N60DM2AG现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为功率器件的效率瓶颈而烦恼吗？STWA72N60DM2AG将彻底改变您的看法。这颗N沟道MOSFET拥有600V/66A的强悍规格，其核心魅力在于惊人的低导通电阻（仅42毫欧），能大幅削减开关和导通过程中的能量损耗，直接为您带来更低的温升和更高的系统整体效率。

它让您能够轻松构建更高效、更紧凑的电源和电机驱动方案。无论是驱动工业电机、构建服务器电源，还是设计新能源车的车载充电器，其汽车级（AEC-Q101）的可靠性和宽温度工作范围，都确保了系统在严苛环境下的长久稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

• 型号:STWA72N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 66A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):66A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:121 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5508 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA72N60DM2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。