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您是否正在为提升电源系统的效率和功率密度而寻找核心动力？STWA70N60DM2正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh DM2技术的600V/66A MOSFET，凭借其极低的42毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的设备运行更凉爽、能效比更高。

同时，其优化的动态特性（如栅极电荷）确保了快速、干净的开关性能，让您能轻松设计出更高频率、更紧凑的电源拓扑。无论是工业驱动、服务器电源还是UPS系统，它都能提供强大的功率处理能力和卓越的可靠性，助您高效实现设计目标，打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:STWA70N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):66A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5508 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA70N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。