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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保证系统长期稳定运行的核心功率开关吗？STWA58N65DM2AG正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有650V的漏源电压和高达48A的连续电流能力，让您在设计电机驱动、工业电源或新能源转换系统时，轻松应对高功率挑战，为设备提供强劲而可靠的“心脏”。

它采用坚固的TO-247封装，散热效能优异，确保在高负荷下持续稳定工作。更重要的是，它属于汽车级（AEC-Q101）产品系列，这意味着它通过了极端的可靠性与耐久性测试，能够适应各种苛刻环境。选择STWA58N65DM2AG，就是为您的产品选择了经得起时间考验的高效与安宁，让您的设计脱颖而出，赢得持久信任。

• 制造商产品型号：STWA58N65DM2AG
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 48A TO247
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：Automotive, AEC-Q101
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：48A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-247 长引线
• STWA58N65DM2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。