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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，并保持极低损耗的功率开关吗？STWA45N65M5正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有650V的坚固耐压和35A的强大电流处理能力，其核心秘密在于MDmesh V技术，它能将导通电阻降至惊人的78毫欧，让您在提升功率密度的同时，大幅削减能量损耗和发热。

它不仅仅是一个开关，更是一个效率助推器。优化的动态参数（如低栅极电荷）让开关动作更快更干净，帮助您的电源或电机驱动系统轻松实现更高的工作频率和更优的电磁兼容性。高达210W的散热能力和宽温度范围，确保了它在各种挑战性环境下的稳定表现。选择STWA45N65M5，就是为您的设计注入高效与可靠的双重保障。

• 型号:STWA45N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:78 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3470 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA45N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。