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您正在设计需要处理高压、大功率的电源或驱动系统吗？STWA12N120K5正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh K5系列的N沟道MOSFET，拥有1200V的惊人耐压和12A的连续电流能力，让您能轻松应对工业电机驱动、太阳能逆变器、UPS和高端开关电源中的严苛挑战。

它的核心价值在于卓越的效率。凭借先进的K5技术，它在10V驱动下导通电阻低至690毫欧，同时栅极电荷也得到优化。这意味着它能显著降低导通与开关损耗，直接提升您的系统整体能效，让设备运行更凉爽、更可靠。其坚固的TO-247封装和高达250W的耗散功率，确保了在复杂环境下的长久稳定运行。

选择STWA12N120K5，就是选择了一个经过验证的高性能、高可靠性平台。它能简化您的热设计，提高功率密度，最终让您以更低的系统总成本，打造出更具市场竞争力的高效能产品。

• 型号:STWA12N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA12N120K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。