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您正在寻找一颗能大幅提升电源效率、让系统运行更凉爽可靠的“心脏”吗？STW9N80K5正是您期待的答案。这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V高压耐受和7A的连续电流能力，能轻松应对严苛的开关环境。

它的核心价值在于卓越的性能平衡：极低的导通电阻（900mΩ）意味着更小的导通损耗，而优化的栅极电荷（12nC）则确保了高速开关与低驱动损耗。这直接为您带来更高的系统效率、更少的发热以及更简化的散热设计。无论是用于开关电源、功率因数校正还是电机驱动，它都能让您的产品在能效和可靠性上脱颖而出。

采用坚固的TO-247封装，提供高达110W的功率处理能力，工作温度范围宽广。选择STW9N80K5，就是为您的设计选择了一份高效、稳定且经久耐用的性能保障。

• 型号:STW9N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW9N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。