我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW9N150现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

面对高电压、大电流的严苛挑战，您需要一颗真正可靠的“电力心脏”。STW9N150正是为此而生。这款N沟道MOSFET拥有惊人的1500V耐压和8A连续电流能力，基于先进的PowerMESH技术，它能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它不仅仅参数强悍，更注重实际应用体验。优化的动态特性让开关过程更干净利落，有助于减少电磁干扰（EMI），而坚固的TO-247封装确保了出色的散热和机械可靠性。选择它，意味着您能为产品轻松注入高功率密度与长寿命的基因，从容应对工业自动化、新能源等领域的各种挑战。

• 型号:STW9N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:89.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3255 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW9N150，ST（意法半导体）产品一站式供应商。