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面对高达1000V的电压挑战，您需要的不只是一个开关，更是一个高效、可靠的能量控制核心。STW8NB100正是这样一颗定海神针。它基于ST意法半导体成熟的PowerMESH技术打造，是一款N沟道高压MOSFET，能轻松承载7.3A的连续电流，并以低至1.45欧姆的导通电阻，显著降低您在高压应用中的导通损耗，直接提升系统能效。

这颗芯片的卓越之处在于其全面的性能平衡。优化的栅极电荷和电容特性让开关过程快速而干净，减少开关损耗，提升整体频率响应。同时，其坚固的TO-247-3封装和高达190W的耗散功率能力，确保了出色的散热性能，让您的设计在高温高功率环境下也能稳定运行。选择它，就是为您的工业电源、新能源转换或电机驱动方案，注入一份经久耐用的可靠动力。

• 型号:STW8NB100
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 7.3A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.45 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW8NB100，ST（意法半导体）产品一站式供应商。