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您正在寻找一颗能扛起高压、高效率重任的功率开关吗？STW7NK90Z正是您的理想之选。这颗采用先进SuperMESH技术的900V N沟道MOSFET，旨在让您的电源设计如虎添翼。

它拥有高达5.8A的连续电流能力和仅2欧姆的低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，从而提升系统整体能效。无论是用于工业电源、照明镇流器还是电机驱动，它都能确保稳定可靠的性能，让您轻松应对严苛的应用挑战。

凭借TO-247封装带来的优异散热性和宽广的工作温度范围，STW7NK90Z为您提供了高效与耐用的完美结合，是打造下一代高性能功率转换系统的核心基石。

• 型号:STW7NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW7NK90Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。