我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW7N95K3现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题寻找突破方案吗？STW7N95K3正是为您而来的答案。这颗基于意法半导体先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有950V的超高耐压和7.2A的强电流处理能力，核心价值在于其极低的导通电阻（Rds(on)）。这意味着它能在导通时大幅减少能量损耗，直接转化为更低的发热和更高的系统整体效率，让您的电源设计轻松迈入高效能时代。

它不仅仅是一个开关，更是您提升产品可靠性的得力助手。优异的开关特性（低Qg和Ciss）确保了快速、干净的开关动作，减少开关损耗和噪声。TO-247-3封装提供了卓越的散热性能，结合150W的功率耗散能力，让芯片即使在严苛环境下也能持续稳定工作。选择STW7N95K3，就是选择让您的工业电源、电机驱动或新能源设备运行得更冷静、更强劲、更持久。

• 型号:STW7N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1031 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW7N95K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。