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还在为如何平衡高功率与高效率而烦恼吗？STW75N60M6-4正是为您解决这一核心难题而生的利器。这颗采用先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和高达72A的电流承载能力，让您在设计大功率电源、电机驱动或逆变器时底气十足。

它的卓越之处在于，能以低至36毫欧的导通电阻让电流顺畅通过，大幅降低导通损耗，从而提升整体能效，让您的产品更节能、发热更少。同时，优化的栅极电荷设计确保了快速、干净的开关动作，让您的系统运行更高效、更安静。无论是面对严苛的工业环境还是追求极致的能效标准，它都能让您的设计轻松达标，脱颖而出。

• 型号:STW75N60M6-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 72A TO247-4
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 36A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4850 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
• STW75N60M6-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。