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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，还能保持超低损耗的功率开关吗？STW70N65DM6正是为此而生。它基于意法半导体先进的MDmesh DM6技术，拥有650V的坚固耐压和68A的连续电流能力，而其核心魅力在于仅40毫欧的超低导通电阻，能显著减少传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现快速、干净的开关动作。极低的栅极电荷和输入电容意味着更少的驱动损耗和更快的开关速度，这直接提升了系统效率，并允许您使用更高的开关频率来优化磁性元件尺寸。无论是应对严苛的工业环境还是追求极致的能效，STW70N65DM6都能提供稳定可靠的性能，是您打造紧凑、高效、高可靠性功率应用的理想选择。

• 型号:STW70N65DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 68A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):68A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 34A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:125 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW70N65DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。