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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，并保持超低损耗的功率开关吗？STW70N60M2-4正是您的理想答案。这颗基于ST先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和68A的强大电流处理能力，其核心使命就是让您的电源和电机驱动系统运行得更高效、更凉爽、更可靠。

它通过仅40毫欧的超低导通电阻，显著降低导通损耗，直接提升系统能效。同时，优化的动态参数让您能轻松实现更快的开关频率，从而减小磁性元件体积，助力设计出更紧凑、功率密度更高的产品。无论是面对工业环境的严峻考验，还是追求消费级产品的极致效率，它都能让您的设计脱颖而出，轻松应对挑战。

• 制造商产品型号：STW70N60M2-4
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 68A TO247
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M2
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：68A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 34A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：118nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5200pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：450W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-247
• STW70N60M2-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。