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还在为高功率应用中的效率瓶颈和散热难题寻找答案吗？STW70N10F4 N沟道MOSFET就是为您而来的强大引擎。它能轻松驾驭高达65A的连续电流和100V的电压，其核心价值在于极低的导通电阻，能大幅减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电机驱动响应更迅猛，让电源转换效率再上一个台阶。凭借优化的栅极电荷特性，它能实现快速干净的开关，帮助您设计出更紧凑、性能更强的电源模块或电机控制器。选择STW70N10F4，就是为您的产品注入了意法半导体先进的STripFET技术基因，确保在严苛环境下依然稳定可靠。

• 型号:STW70N10F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 65A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW70N10F4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。