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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STW6N90K5正是您的理想之选。这颗来自意法半导体MDmesh K5系列的900V N沟道MOSFET，专为 demanding 应用而设计，它能轻松处理高达6A的电流，并以低至1.1欧姆的导通电阻最大限度地减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

它集成了先进的超结技术，在900V的高压环境下依然保持出色的开关性能，有效降低电磁干扰（EMI）。TO-247封装确保了卓越的散热能力，配合高达110W的功率耗散，让您在设计高功率密度产品时信心十足。选择STW6N90K5，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心，轻松应对从工业自动化到新能源领域的各种挑战。

• 型号:STW6N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW6N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。