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还在寻找一颗能扛起高压重任、运行稳定高效的功率开关吗？STW6N120K3就是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有1200V的惊人耐压和6A的连续电流处理能力，专为应对工业电源、电机驱动等高压环境的严酷挑战而设计。

它采用先进的SuperMESH3技术，在10V驱动下导通电阻低至2.4欧姆，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让您能轻松实现快速、干净的开关切换，有效简化驱动电路设计并提升整体可靠性。

凭借TO-247封装带来的强大散热能力和高达150W的功率耗散上限，它能让您的设备在-55°C到150°C的极端温度范围内稳如磐石。选择STW6N120K3，就是为您的核心功率级注入一份经久考验的稳健与高效。

• 型号:STW6N120K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1050 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW6N120K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。