我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW68N60M6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计一款需要处理高电压、大电流的电源或电机驱动方案吗？STW68N60M6正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，能在高达600V的电压下，轻松驾驭63A的连续电流，其核心使命就是大幅降低开关损耗和导通损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效。

它将帮助您轻松提升电源的功率密度和整体能效，无论是用于服务器电源、工业变频器还是UPS系统，都能确保稳定可靠的功率切换。选择它，意味着您为产品选择了经市场验证的卓越性能和长久耐用性，让设计挑战化为竞争优势。

• 型号:STW68N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):63A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:41 毫欧 @ 31.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW68N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。