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您是否正在为提升电源转换效率而寻找一颗可靠的心脏？STW62NM60N正是为您而生的功率开关解决方案。它基于意法半导体先进的MDmesh II技术，能够轻松应对高达600V的电压和65A的连续电流，其超低的49毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、更高效。

这颗强大的N沟道MOSFET，旨在让您轻松驾驭复杂的功率管理挑战。无论是设计服务器电源、工业电机驱动器，还是构建太阳能逆变器系统，其优化的栅极电荷（174nC @10V）和坚固的TO-247封装，都能确保快速、干净的开关动作和卓越的长期可靠性。选择它，就是为您的产品注入了持久稳定的高性能基因。

• 型号:STW62NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 65A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:49 毫欧 @ 32.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:174 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW62NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。