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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，并保持超低损耗的功率开关吗？STW58N65DM2AG正是您的理想之选。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有650V的漏源电压和48A的连续电流处理能力，专为高效、高功率密度的应用而优化。

它核心的MDmesh DM2技术，为您带来了革命性的低导通电阻（仅65毫欧）与优化的开关特性。这意味着它能显著降低您系统中的导通损耗和开关损耗，让电源转换效率大幅提升，同时发热更少，系统运行更凉爽、更稳定。无论是用于服务器电源、电机驱动还是新能源转换，它都能让您的设计轻松应对高功率挑战。

此外，其符合汽车级AEC-Q101标准的可靠性，以及TO-247封装带来的强大散热能力，确保它在-55°C至150°C的严酷温度范围内都能高效工作。选择STW58N65DM2AG，就是为您的产品选择了持久耐用的高性能心脏，助您打造出更具市场竞争力的解决方案。

• 型号:STW58N65DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 48A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:88 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW58N65DM2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。