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还在为高压大电流应用的开关损耗和散热问题头疼吗？让STW56N60M2来为您分忧！这颗基于先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和高达52A的电流处理能力，旨在让您的电源转换和电机驱动设计更高效、更可靠。

它的核心魅力在于极低的导通电阻与优化的动态特性。这不仅意味着更低的传导损耗，直接提升您的系统能效，还带来了更快的开关速度和更低的开关损耗。无论是用于PFC电路、半桥/全桥拓扑还是电机控制，它都能帮助您轻松实现更高的功率密度和更出色的热性能，让复杂的设计挑战变得简单可控。

• 型号:STW56N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW56N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。