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还在为功率转换系统的效率与温升问题烦恼吗？STW56N60DM2 N沟道MOSFET正是您的高效解决方案。它基于意法半导体先进的MDmesh DM2技术，拥有600V耐压和50A电流能力，其超低的导通电阻（仅60mΩ）能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松应对工业电源、UPS、光伏逆变器等高压大功率场景的严苛要求。优异的开关性能配合优化的栅极电荷，确保快速响应与低开关损耗，助力提升整体系统频率与功率密度。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心，轻松实现更小、更轻、更可靠的设计目标。

• 型号:STW56N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 50A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW56N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。