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您正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的功率开关核心吗？STW50N65DM2AG正是为您而来。这颗650V/28A的N沟道MOSFET，采用意法半导体先进的MDmesh DM2技术，旨在让您的电源转换、电机驱动或逆变系统运行得更冷静、更高效。它显著降低的导通损耗意味着更少的能量浪费，直接帮助您提升整体能效，并简化散热设计。

更令人振奋的是，它拥有车规级AEC-Q101认证，天生为应对汽车电子等严苛环境而打造，赋予您的产品卓越的稳定性和超长寿命。其优化的动态参数让开关控制更加得心应手，无论是硬开关还是软开关拓扑，都能让您轻松实现高性能设计。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的“心脏”。

• 型号:STW50N65DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW50N65DM2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。