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还在为高压大电流电路的开关损耗和散热问题头疼吗？STW43NM50N正是您期待的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh II系列的N沟道MOSFET，拥有500V/37A的强悍规格，其核心价值在于让您的电源转换效率实现飞跃。

它凭借先进的沟槽技术，将导通电阻降至极低水平，显著减少了导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷和电容特性，确保了干净利落的开关动作，有效抑制了开关损耗和电磁干扰。这意味着，您不仅能轻松提升系统整体能效，还能简化散热设计，让产品运行更凉爽、更稳定。无论是驱动电机还是处理功率转换，STW43NM50N都能助您一臂之力，高效完成任务。

• 型号:STW43NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 37A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):37A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 18.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW43NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。