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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，且效率出众的功率开关吗？STW42N60M2-EP正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源电压和34A的连续电流能力，其核心魅力在于采用MDmesh M2-EP技术，实现了仅87毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它能让您轻松应对高频开关的挑战。55nC的低栅极电荷和优化的动态特性，确保了快速、干净的开关行为，有效减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。结合TO-247封装出色的散热能力，这颗芯片让您在设计高功率密度、高可靠性的工业级应用时信心倍增，轻松提升整体系统性能与能效等级。

• 型号:STW42N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW42N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。