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您正在设计一款需要处理高达200V电压和40A电流的电源或电机驱动方案吗？STW40N20正是为您应对此类挑战而生的得力助手。这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有低至45毫欧的导通电阻，能显著降低系统导通损耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。

它不仅能轻松承载持续的功率流，其优化的栅极特性还确保了快速、干净的开关动作，有效减少开关损耗，特别适合对效率有苛刻要求的高频应用。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发新一代高功率密度设备，它都能提供可靠的核心开关性能，让您的设计事半功倍。

• 型号:STW40N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW40N20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。