我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW3N170现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在为高压、高可靠性的功率开关需求而寻找解决方案？STW3N170正是为您而来。这颗采用先进PowerMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达1700V的漏源击穿电压和2.6A的连续电流能力，它能轻松担当起工业电源、光伏逆变器、UPS等系统中核心开关的重任，让您的设备在面对高压冲击时稳如磐石。

它的卓越之处在于，能够在10V的标准驱动电压下，实现极低的导通电阻，显著降低功率损耗，提升整体系统效率。同时，优化的动态参数让开关过程更加迅速、干净，帮助您简化驱动设计并减少电磁干扰。无论是应对-55°C到150°C的宽温工作环境，还是追求长期稳定的运行表现，STW3N170都能以出色的性能和可靠性，助您高效达成设计目标。

• 型号:STW3N170
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW3N170，ST（意法半导体）产品一站式供应商。