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还在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的高压开关管吗？STW38N65M5正是您期待的答案。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V/30A的强悍规格，其核心价值在于让您的电源设计轻松实现更低的能量损耗和更高的功率密度。

它通过仅95毫欧的超低导通电阻，大幅减少导通状态下的发热，配合优化的开关特性（71nC栅极电荷），让系统运行更凉爽、响应更迅捷。无论是构建工业电源、光伏逆变器还是充电桩模块，它都能为您提供稳定可靠的高压开关解决方案，显著提升整机效率和可靠性，助您的产品在激烈竞争中脱颖而出。

• 型号:STW38N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW38N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。