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还在为高压大电流应用的效率提升而烦恼吗？让STW33N60M2为您带来变革！这颗来自ST意法半导体的600V/26A N沟道MOSFET，集成了先进的MDmesh II Plus技术，能显著降低导通损耗和开关损耗。

它能让您的电源设计轻松实现更高的功率密度和能源效率，无论是服务器电源、工业驱动还是新能源设备，都能稳定可靠地工作。其优异的散热性能和坚固的TO-247封装，更能让您省心应对严苛的工作环境，是您提升产品竞争力的高效核心部件。

• 型号:STW33N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 26A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1781 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW33N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。