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想象一下，在您的电源或电机驱动系统中，一颗芯片就能同时担当高效开关与可靠卫士的双重角色。STW30NM50N正是为此而生。它基于意法半导体成熟的MDmesh II技术，为您提供500V的坚固电压屏障和27A的强大电流吞吐能力，让您轻松驾驭高功率应用场景。

其核心优势在于极低的导通电阻（仅115毫欧@10V），能显著减少导通损耗，直接提升您的系统整体能效。同时，高达190W的功率处理能力和宽泛的工作温度范围，确保了它在长时间、高负荷运行下的稳定性和耐用性。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的动力心脏。

• 型号:STW30NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:115 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2740 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW30NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。