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您正在寻找一颗能轻松应对800V高压平台、同时保持极低能量损耗的功率开关解决方案吗？STW30N80K5正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET集成了ST先进的MDmesh K5技术，为您带来低至180毫欧的导通电阻和优化的动态性能，让您的电源或电机驱动系统效率显著提升，发热大幅降低。

它能让您在设计大功率开关电源、太阳能逆变器或工业变频器时更加得心应手。高达24A的连续电流能力和250W的功率耗散，确保了强大的输出与可靠性。其快速的开关特性和低栅极电荷，让您能够实现更高频率的开关操作，从而有机会使用更小、更轻的磁性元件，最终帮助您打造出功率密度更高、体积更紧凑的下一代产品。

• 型号:STW30N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 24A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1530 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW30N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。