我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW30N20现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要处理高达200V电压和30A电流的功率转换电路吗？STW30N20正是为您而来的得力助手。这颗N沟道MOSFET采用意法半导体成熟的STripFET技术，其核心使命就是让您的系统运行得更“冷静”、更高效。它通过极低的导通电阻（典型值75毫欧）大幅减少导通损耗，将更多电能用于驱动负载，直接帮您提升整机效率并简化散热设计。

同时，它拥有快速的开关特性（栅极电荷仅38nC）和TO-247-3的坚固封装，让您能轻松构建高频率、高可靠性的电源架构，无论是工业驱动、电源供应还是能源管理应用，都能游刃有余。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:STW30N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1597 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW30N20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。