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您正在为高压电源或电机驱动寻找一颗强劲而高效的“心脏”吗？STW29NK50Z正是为此而生。这颗来自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，拥有500V的漏源电压和31A的连续电流能力，能轻松应对严苛的功率开关应用。

它的核心价值在于卓越的性能表现。极低的导通电阻（仅130毫欧）意味着更小的导通损耗，让您的系统运行更高效、发热更少。同时，优化的栅极电荷和电容特性有助于实现更干净、更快速的开关，从而减少开关损耗并提升整体频率响应。无论是用于提升电源转换效率，还是驱动电机平稳运行，它都能让您的设计更可靠、更具竞争力。

• 型号:STW29NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 15.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW29NK50Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。