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您正在设计一款需要兼顾高效率与高可靠性的电源或电机驱动方案吗？STW28N60DM2正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh DM2技术的N沟道功率MOSFET，拥有600V耐压和21A电流能力，其核心价值在于为您大幅降低导通损耗仅160毫欧的超低Rds(on)意味着更少的能量浪费为热量，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

不仅如此，它还能让您的设计事半功倍。极低的栅极电荷和输入电容特性，让开关过程快速而干净，显著减少开关损耗，并允许您使用更简洁的驱动电路。无论是提升开关频率以缩小磁性元件体积，还是增强系统在高温环境下的稳定性，它都能轻松应对。选择STW28N60DM2，就是选择了一颗能让您高效实现高性能目标的强大“芯”脏。

• 型号:STW28N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW28N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。