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您正在寻找一颗能轻松驾驭600V高压平台，同时保持高效、低温运行的功率开关吗？STW26NM60ND正是为此而来。这颗N沟道MOSFET拥有21A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通损耗，能显著提升您的电源、电机驱动等系统的整体效率，让电能转换更加“干净利落”。

得益于FDmesh II技术，它在提供强大功率处理能力（190W）的同时，还具备优异的开关性能，有助于简化您的驱动电路设计。无论是应对工业环境的严苛考验，还是追求消费级产品的高性价比，它都能让您的设计更稳健、更出色。

• 型号:STW26NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW26NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。