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还在寻找那颗能同时扛起高压、大电流重任，又能保持冷静与高效的功率开关吗？STW26NM60N正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源电压和20A的连续电流能力，凭借其MDmesh II技术，实现了惊人的165毫欧超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统效率轻松跃升。

它更懂您在高频应用中的需求，极低的栅极电荷和输入电容让开关速度更快、驱动更轻松，直接助力提升系统功率密度和响应速度。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费电子的小型化设计，其TO-247-3封装和强大的散热能力都为您提供了坚实的可靠性保障。选择STW26NM60N，就是选择让您的设计更高效、更紧凑、更具竞争力。

• 型号:STW26NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW26NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。