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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，且保持超低损耗的功率开关吗？STW25N80K5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和19.5A的连续电流能力，其精髓在于将导通电阻（Rds(On)）与栅极电荷（Qg）双双优化至极低水平，让您轻松实现更高的系统效率和更低的温升。

它就像一位高效的“能量守门员”，在开关电源、电机驱动等应用中，能显著减少导通和开关过程中的能量浪费。其卓越的热性能（最大功耗250W）和宽工作温度范围（-55°C至150°C），确保您的设计在各种严苛环境下都能稳定运行。选择STW25N80K5，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的核心，让性能提升一目了然。

• 型号:STW25N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW25N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。