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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时还能保持冷静高效的功率开关吗？STW24N60M6正是为此而生。这颗采用意法半导体先进MDmesh M6技术的600V N沟道MOSFET，核心使命就是让您的电源转换系统跑得更快、更凉、更稳。

它凭借优化的芯片结构，在TO-247封装内实现了优异的性能平衡。高达17A的连续电流处理能力和600V的耐压等级，让您轻松应对工业电源、光伏逆变器等应用中的功率挑战。更关键的是，其卓越的开关特性旨在显著降低导通和开关损耗，直接提升系统整体能效，并简化您的热管理设计。

简而言之，STW24N60M6能为您做的，就是用一个可靠的解决方案，替换掉效率与热性能上的顾虑，让您更专注于系统创新，高效推进项目成功。

• 型号:STW24N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW24N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。