我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW240N10F7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高功率应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？STW240N10F7正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体STripFET F7系列的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和180A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的3毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭服务器电源、工业变频器、大功率转换器等应用。优化的动态参数（如栅极电荷）确保了快速干净的开关性能，帮助您提升开关频率，缩小磁性元件体积，从而实现更高功率密度的设计。其坚固的TO-247封装和300W的功率耗散能力，为您提供了应对热管理的充裕空间，确保系统在苛刻环境下依然稳定可靠。

• 型号:STW240N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11550 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW240N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。