我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW20N60M2-EP现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压大电流应用的效率提升而绞尽脑汁吗？STW20N60M2-EP就是您期待已久的强力引擎。这颗N沟道功率MOSFET，凭借意法半导体领先的MDmesh M2-EP技术，为您带来278毫欧的超低导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它拥有600V的漏源电压和13A的连续电流处理能力，轻松应对严苛的功率场景。无论是提升工业变频器的输出稳定性，还是优化太阳能逆变器的能量转换效率，它都能让您的设计性能跃升一个新台阶。其坚固的TO-247封装和宽广的工作温度范围，更确保了产品在各类环境下的长期可靠运行。

• 制造商产品型号：STW20N60M2-EP
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO247
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M2-EP
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：278 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：21.7nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：787pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-247
• STW20N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。