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您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STW200NF03正是为此而来。这颗30V耐压、120A高电流能力的N沟道MOSFET，凭借其STripFET II技术，实现了惊人的2.8毫欧超低导通电阻，能显著降低您在电源转换或电机驱动中的导通损耗，让系统运行更凉爽、更高效。

它拥有快速的开关特性（栅极电荷Qg仅280nC）和坚固的耐压能力（Vgs ±20V），让您能轻松设计出响应迅捷、稳定可靠的驱动电路。无论是应对工业环境的严苛温度（工作结温高达175°C），还是通过TO-247封装实现优秀散热，它都为您提供了强大的保障，是提升产品功率性能和可靠性的理想选择。

• 型号:STW200NF03
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:280 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW200NF03，ST（意法半导体）产品一站式供应商。