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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效、低温运行的功率开关吗？STW19NM65N正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有650V的坚固耐压和15.5A的强大电流处理能力，其核心的MDmesh II技术让导通电阻低至优异水平，能显著降低开关损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率。

它让您轻松应对高达150W的功率耗散，结合TO-247-3封装卓越的散热性能，确保系统在高负荷下依然稳定可靠。无论是优化现有设计还是为高要求应用选型，STW19NM65N都能以其出色的电气特性，帮助您构建更高效、更紧凑、更耐用的电力电子解决方案。

• 型号:STW19NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW19NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。