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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易驱动性的高压开关管吗？STW18NM60N正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和13A的强大电流处理能力，其核心的MDmesh II技术让它在导通损耗和开关速度之间取得了完美平衡，能显著降低您电源或电机驱动方案中的能量损耗，提升整体系统能效。

它能让您的设计工作变得异常轻松。极低的栅极电荷和输入电容意味着它非常容易被驱动，简化了您的驱动电路设计；而高达110W的功率耗散能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），则赋予了它应对各种恶劣环境的资本，确保您的产品长期稳定运行。选择它，就是为您的产品注入一颗高效而强健的‘心脏’。

• 型号:STW18NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW18NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。