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您是否正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持高效与可靠的“核心开关”？STW16NK60Z正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的SuperMESH技术打造，拥有600V的耐压和14A的连续电流能力，让您在设计工业电源、电机驱动或功率转换系统时，轻松应对高压挑战，实现更高的功率密度。

这颗N沟道MOSFET的卓越之处在于其平衡的性能。它不仅在导通时阻抗极低（最大420mΩ @ 10V），能显著减少导通损耗和发热，其优化的栅极电荷（86nC）和输入电容也让开关过程更加迅速高效，从而降低整体系统能耗。高达190W的耗散功率和通孔TO-247封装，确保了出色的散热能力和机械坚固性，让您的产品在严苛环境下也能稳定持久地运行。

• 型号:STW16NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW16NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。