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您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STW150NF55正是为您而来的解决方案。这颗N沟道功率MOSFET拥有55V耐压和高达120A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅6毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通时的功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用成熟的TO-247-3封装，散热性能优异，安装牢固。基于STripFET II技术，它在开关速度和导通特性之间取得了出色平衡，栅极电荷（Qg）仅为190nC，有助于实现更高频率的开关操作并降低驱动损耗。无论是用于提升能效、缩小散热器尺寸，还是增强系统的整体可靠性，STW150NF55都能让您的设计目标轻松达成。

• 型号:STW150NF55
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 120A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:190 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW150NF55，ST（意法半导体）产品一站式供应商。