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您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任、同时保持冷静高效的核心开关器件吗？STW14NM50FD正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有500V的坚固耐压和14A的强大电流吞吐能力，专为应对严苛的工业环境而设计。

它内置ST先进的FDmesh技术，能为您带来极低的导通电阻（典型值仅400毫欧），这意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。优异的开关特性结合TO-247-3封装出色的散热能力，让您能轻松实现高可靠性的功率设计，大幅提升终端产品的市场竞争力和用户价值。

• 型号:STW14NM50FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW14NM50FD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。