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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STW13NM60N就是您的理想之选。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和11A的连续漏极电流能力，让您在设计开关电源、电机驱动等应用时信心十足。

它的卓越之处在于精妙的平衡：仅360毫欧的最大导通电阻配合低至30nC的栅极电荷，意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，从而轻松提升系统整体能效。TO-247-3的坚固封装和高达90W的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的长期可靠运行。选择它，就是为您的产品注入高效与稳定的核心动力。

• 型号:STW13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW13NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。