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您正在寻找一颗能同时兼顾高电压、大电流和出色效率的功率开关吗？STW13NK60Z正是为您而来。这颗采用SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和13A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的550毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动应用运行得更高效、更凉爽。

它能让您轻松实现快速、干净的开关动作。得益于优化的栅极电荷和输入电容，开关损耗被大幅削减，这不仅提升了系统能效，也简化了您的驱动电路设计。高达150W的功率耗散能力和宽广的工作温度范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作，是您构建坚固耐用工业产品的理想选择。

• 型号:STW13NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW13NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。