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您正在设计需要处理600V高压的电源或电机驱动方案吗？STW13NB60正是为您而来的强大引擎。这颗N沟道MOSFET能承载高达13A的连续电流，其先进的PowerMESH结构确保了极低的导通损耗，让您的系统效率更高，发热更少。

它能让您轻松驾驭开关电源、PFC、逆变器等应用中的高压侧开关任务。优化的动态参数有助于降低开关损耗，简化驱动设计，从而提升整体可靠性。虽然已停产，但其经典的性能和TO-247封装带来的出色散热能力，使其在诸多成熟和成本敏感型设计中依然是高性价比的可靠之选。

• 型号:STW13NB60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:540 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW13NB60，ST（意法半导体）产品一站式供应商。